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拓扑磁性材料,磁性存储器研究新平台

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详细说明

    该产品采用的是自旋离子技术,该工艺基于多层叠层的超快离子束处理,能够改善结构特征,这种独特工艺通过提高均匀性、提高磁性能和提高产量来提高MRAM磁层的性能。



使用离子辐射实现磁性调制的可扩展和低功率电场门控畴壁(DW)器件的新概念。磁性薄膜的磁性蒋通过使用离子辐射诱导界面工程进行调整。



通过光刻掩膜和聚焦离子束技术的照射也将允许在薄膜或纳米器件上创建磁性模式,特别有利于DW自动运动的各项异性梯度。



产品功能:



1、 使用独特的离子束技术在原子尺度上增强材料性能。



2、 对原子间位移进行精确的生长后控制。



3、 采用离子束工艺处理内部先进磁性材料。



4、 可以运用界面调控方法高效提高材料表面起电性能。



产品特色:



1. 短程原子间移动



2. 低能量转移 He+离子束的能量范围从1-30keV



3. 在25毫米试样上进行超快速均匀辐照(几分钟)



4. 通过材料表面改性,提高其界面传输电荷能力的同时,无结构损坏。



5. 设备为超紧凑型设施,不占空间,挪用方便。

 
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